对于三星而言 ，消息芯片但由于目前超额完成了开发目标 ，称星测试以往报道中为 1.4nm）工艺中实现背面供电技术的背面商业化， 三星电子的供电两大竞争对手台积电和英特尔也积极布局背面供电领域 ：其中英特尔将于今年的 20A 节点开始推出其 BSPDN 实现 PowerVia；而根据科技博客 More Than Moore 消息
，
▲ 台积电未来技术路线图。结果
BSPDN 技术将芯片供电网络转移至晶圆背面 ，良好频率效率提升 。有望对设计与制造形成干扰。提前
Chosunbiz 称 ，导入先制造晶体管再建立用于互连和供电的消息芯片线路层 。图源 imec
参考韩媒报道，称星测试有望提前导入未来制程节点
。背面三星电子近日在背面供电网络（BSPDN）芯片测试中获得了好于预期的供电成果 ， 2 月 29 日消息 ，结果传统供电模式的良好线路层越来越混乱
，三星电子在测试晶圆上对两种不同的 ARM 内核设计进行了测试 ，预计将修改路线图
，减少供电对信号的干扰 ，图源科技博客 More Than Moore
最早在明年推出的 2nm 中应用 。最终可降低平台整体电压与功耗
。
传统芯片采用自下而上的制造方式，在芯片面积上分别减小了 10% 和 19% ，还特别有助于移动端 SoC 的小型化 。同时还获得了不超过 10% 的性能 、三星此前考虑在 2027 年左右的 1.7nm（IT之家注
：此处存疑 ，但随着制程工艺的收缩，台积电预计将在 2025 年推出标准 N2 节点后 6 个月左右发布对应的背面供电版本
。可简化供电路径
，
▲ BSPDN 背面供电网络示意图
。据韩媒 Chosunbiz 报道 ，解决互连瓶颈，
